光刻機的分類有什麼

光刻機按光源類型和光刻工藝分類：曝光光源：紫外光光刻機（紫外光波長）和極紫外光光刻機（波長 13.5nm）。光刻工藝：接觸式（直接接觸）、接近式（微小間隙）和投影式（通過鏡頭投影）。綜合分類：krf 光刻機（紫外光接近式）、arf 光刻機（紫外光投影式）、euv 光刻機（極紫外光投影式）、水浸式光刻機（高分辨率、低失真）和多重曝光光刻機（提高精度、良率）。

光刻機的分類

光刻機是半導體制造過程中用於將電路設計圖案轉移到硅片上的關鍵設備。根據光源類型和光刻工藝的不同，光刻機主要分爲以下幾類：

1. 曝光光源分類

• 紫外光 (UV) 光刻機：使用紫外光作爲光源，波長通常在 193nm 至 248nm 範圍內。
• 極紫外光 (EUV) 光刻機：使用波長爲 13.5nm 的極紫外光作爲光源，可實現更精細的圖案化。

2. 光刻工藝分類

• 接觸式光刻：光刻膠直接與掩模接觸，使圖案傳輸到硅片上。
• 接近式光刻：光刻膠和掩模之間存在微小的間隙，避免了接觸式光刻引起的缺陷。
• 投影式光刻：掩模與光刻膠之間有一定距離，通過投影鏡頭將掩模圖案縮小並投影到硅片上。

3. 綜合分類

• KrF 光刻機：使用 248nm 的 KrF 激光器作爲光源，屬於紫外光接近式光刻機。
• ArF 光刻機：使用 193nm 的 ArF 激光器作爲光源，屬於紫外光投影式光刻機。
• EUV 光刻機：使用 13.5nm 的極紫外光作爲光源，屬於投影式光刻機。
• 水浸式光刻機：在投影鏡頭和光刻膠之間使用水作爲浸沒介質，以提高分辨率和減小失真。
• 多重曝光光刻機：使用多重曝光過程，以獲得所需的圖案精度和良率。

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